半导体厂商如何做芯片的出厂测试?半导体器件的失效机理主要划分成以下6种:一、包封失效。导电性能很差的半导体怎么测功函数关于功函数的测量方法：功函数的测量方法分为“绝对测量”和“相对测量”两大类：1）绝对测量法是测量电磁场的垂直分量和水平分量的振幅值和它们相对于次场相位移的方法。

1、FA失效分析是什么?怎么去做失效分析?

失效分析（FA）是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。其方法分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。失效分析的意义：分析机械零器件失效原因，为事故责任认定、侦破刑事犯罪案件、裁定赔偿责任、保险业务、修改产品质量标准等提供科学依据；减少和预防同类机械零器件的失效现象重复发生，保障产品质量，提高产品竞争力；为企业技术开发、技术改造提供信息，增加企业产品技术含量，从而获得更大的经济效益。

2、半导体二极管,三极管的筛选及老化方法有哪些

检查的主要内容如下：②电位器、可变电容器和可调电感器等元件，调动时应该旋转平稳，无跳变或卡死现象。④胶木件表面无裂纹、起泡和分层。瓷质件表面光洁平整，无缺损。⑤带有密封结构的元器件，密封部位不应损坏和开裂。⑥镀银件表面光亮，无变色和发黑现象。2畅元器件的筛选和老化③接插件应插拔自如，插针、插孔镀层光亮，无明显氧化和玷污。

筛选和老化的目的是剔除因某种缺陷而导致早期失效的元器件，从而提高元器件的使用寿命和可靠性。因此，凡有筛选和老化要求的元器件，在整机装配前必须按照整机产品技术要求和有关技术规定进行严格的筛选和老化。然而在课堂化的业余条件下，不具备对元器件进行正规的筛选和老化的条件，只有借助于万用表和有关通用仪器对元器件进行一般的检测，对阻容元件、二极管、三极管、集成电路、电感线圈、电位器等元件的一般检测在前面已学过的课程中已作介绍，这里不再叙述。

3、简述半导体应变计变阻原理

利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。

P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。

4、半导体器件的失效规律与普通元器件有什么区别

半导体器件的失效规律与普通元器件有什么区别？没有特别明显的区分吧，工艺不同，规律的话呢火牛过。这个问题问得好。半导体器件的失效通常是因为产生的应力超过了它们的最大额定值。电气应力、热应力、化学应力、辐射应力、机械应力及其他因素都会造成器件失效。半导体器件的失效机理主要划分成以下6种:一、包封失效。二、导线连接失效。三、裸芯粘接故障。

5、导电性能很差的半导体怎么测功函数

关于功函数的测量方法：功函数的测量方法分为“绝对测量”和“相对测量”两大类：1）绝对测量法是测量电磁场的垂直分量和水平分量的振幅值和它们相对于次场相位移的方法。试验中是利用样品由光吸收(光发射)所引发的电子发射，通过高温(热发射)、或者电场(场发射)，以及使用电子隧穿效应进行测量获得的光谱（PES），从而提供提供反应了样品电子结的功函数等信息。

6、半导体厂商如何做芯片的出厂测试?

首先芯片fail可以是下面几个方面：1.功能fail，某个功能点点没有实现，这往往是设计上导致的，通常是在设计阶段前仿真来对功能进行验证来保证，所以通常设计一块芯片，仿真验证会占用大约80%的时间2.性能fail，某个性能指标要求没有过关，比如2G的cpu只能跑到1.5G，数模转换器在要求的转换速度和带宽的条件下有效位数enob要达到12位，却只有10位，以及lna的noisefigure指标不达标等等。

这类问题通常是用后仿真来进行验证的。3.生产导致的fail。这个问题出现的原因就要提到单晶硅的生产了。学过半导体物理的都知道单晶硅是规整的面心立方结构，它有好几个晶向，通常我们生长单晶是是按照111晶向进行提拉生长。但是由于各种外界因素，比如温度，提拉速度，以及量子力学的各种随机性，导致生长过程中会出现错位，这个就称为缺陷。

7、怎么测量半导体薄膜的电阻率

4探针法。测量半导体电阻率的方法很多，按是否与样品接触可以分为两类，即接触式和非接触式，常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合CV测量等。对于体单晶的电阻率测量，生产中应用最普遍的是四探针法；对于半导体晶片的电阻率测量，微波法等非接触式测量方法由于使用方便、不损坏样品，因而应用也越来越多。