热点版块二个，香港板块，LSD赛道这二块反复玩，ARB生态大家都知道的出货信任危机，可以关注，争议的机会，短期不会玩完不用去想到底谁好谁坏，大饼震荡，逢低关注自己标的，剧情和我之前说的观点没有变化山寨快了，四月中旬为界限。再回顾一下这些币种u003cLSDu003eLDOSSVGNSRPLSDu003c香港概念u003eCFXKEYACHSANDINJCOCO。

1、在手机论坛中常可以看到“NAND”,“NAND”是什么?

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

2、如何快速检测NAND的坏块

首先调用erase,将NAND全部擦除一遍,然后执行如下检测操作,如果页大于512字节,badblockpos0;badblockbytes2;如果页小于512字节,badblockpos5;badblockbytes1;读取每个block的前两页OOB区域的第badblockpos开始的后badblockbytes字节是否为0xff,

那么说明该block是好的,否则该block是坏块[gliethttp_]！UINT_Tcreate_bbt(FlashBootType_Tfbt){UINT_TRetval;P_FlashProperties_TpFlashPGetFlashProperties(fbt);UINT_TBlkSize,BlkNum;UINT_Tflash_addr;#definepage_size(2048)#definepage_spare_size(64)#defineblock_size(64*page_size)#definetmp_buffer_addr。