1.开启电压VT开启电压：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压标准的N沟道MOS管，VT约为36V通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到23V。2.直流输入电阻RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比这一特性有时以流过栅极的栅流表示MOS管的RGS可以很容易地超过1010，3.漏源击穿电压BVDS在VGS=0的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDSID剧增的原因有下列两个方面：漏极附近耗尽层的雪崩击穿漏源极间的穿通击穿有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4.栅源击穿电压BVGS在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

1、典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为12V,200v以内的一般为24V，200V以上的一般为35V。当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看该型号MOS的DATASHEET，才能用好。300K时，一般N管0.7V左右，P管1V左右我用的是耐压5V的，90nm和0.13um的工艺我还没用过，对它们的阈值电压还不了解。

一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为12V，200v以内的一般为24V，200V以上的一般为35V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。

2、帮我分析下这个mos管电路,门极电压是多少?

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它MOS型晶体管。左边栅极电压为V_DO_Carera/(1 5.1)，右边，当V_DO_Carera1V时是12V*(510/100K)，假设你的Q92在电路中能完全饱和(C极电流大于12/510)，那么当V_DO_Carera1V时，大约是Q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100K)。

3、mos管的开启电压是什么是指g极的电压吗如果是哪需要多少v

是的，G极的电压需要24V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。

有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。扩展资料无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。